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KC-3105

現(xiàn)代寬禁帶功率器件 (SiC, GaN) 上的開關(guān)晶體管速度越來越快，使得測(cè)量和表征成為相當(dāng)大的挑戰(zhàn)。與 HTRB高溫偏置試驗(yàn)一 一對(duì)應(yīng)，AQG324 該規(guī)定了動(dòng)態(tài)偏置試驗(yàn)，即動(dòng)態(tài)高溫反偏（DHRB，Dynamic high-temperature reverse bias）

KC3111

設(shè)備簡(jiǎn)介KC3111功率半導(dǎo)體高精度靜態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)（面向工廠生產(chǎn)端），基于全新三代半SiC, GaN器件和模塊以及車規(guī)級(jí)模塊的新興要求而進(jìn)行的一次高標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品開發(fā)。脈沖信號(hào)源輸出方面，高壓源標(biāo)配2000V（選配3.5KV）,高...

KC3120

設(shè)備簡(jiǎn)介KC3120功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)可針對(duì)各類型 GaN、Si基及SiC基二極管、 MOSFET、IGBT 等分立器件的各項(xiàng)動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，如開通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間、上升時(shí)間、下降時(shí)間、導(dǎo)通延遲時(shí)間、關(guān)斷延遲時(shí)間、開通損耗、...

KC3110

設(shè)備簡(jiǎn)介KC3110功率半導(dǎo)體高精度靜態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)，基于全新三代半SiC, GaN器件和模塊以及車規(guī)級(jí)模塊的新興要求而進(jìn)行的一次高標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品開發(fā)。本系統(tǒng)可以在3KV和1000/2000A的條件下實(shí)現(xiàn)精確測(cè)量和參數(shù)分析，漏電流測(cè)試...

KC3106

IGCT（IntergratedGateCommutatedThyristors）是在晶閘管技術(shù)的基礎(chǔ)上結(jié)合IGBT和GTO等技術(shù)開發(fā)的新型器件，適用于高壓大容量變頻系統(tǒng)中，是一種用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力半導(dǎo)體器件。

KC3130

現(xiàn)代寬禁帶功率器件 (SiC, GaN) 上的開關(guān)晶體管速度越來越快，使得測(cè)量和表征成為相當(dāng)大的挑戰(zhàn)。汽車功率模塊測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)AQG 324特別突出了功率循環(huán)試驗(yàn)，在整個(gè)SiC-MOSFET壽命試驗(yàn)相關(guān)內(nèi)容中，功率循環(huán)試驗(yàn)不僅被列為首...